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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

C3D10060A 

产品描述

Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220

内部编号

84-C3D10060A

#1

数量:2000
最小起订量:1
香港
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#2

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C3D10060A产品详细规格

规格书 C3D10060A datasheet 规格书
C3D10060A datasheet 规格书
C3D10060A datasheet 规格书
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Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
二极管型 Silicon Carbide Schottky
电压 - 直流反向(VR)(最大值) 600V
电流 - 平均整流(Io) 10A
电压 - 正向(Vf)(最大)@ 1.8V @ 10A
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间(trr) 0ns
电流 - 反向漏VR 50µA @ 600V
电容@ Vr,F 480pF @ 0V, 1MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-2
供应商器件封装 TO-220-2
包装材料 Tube
包装 2TO-220
类型 Schottky Diode
配置 Single
峰值反向重复电压 600 V
峰值平均正向电流 12 A
峰值反向电流 50 uA
峰值正向电压 1.8@10V V
峰值不重复浪涌电流 250 A
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
供应商封装形式 TO-220
标准包装名称 TO-220
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标签 Tab
最大连续正向电流 12
包装高度 9.14(Max)
工作结温度 -55 to 175
峰值反向重复电压 600
峰值反向电流 50
峰值不重复浪涌电流 250
包装宽度 4.7(Max)
峰值正向电压 1.8@10A
PCB 2
包装长度 10.41(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 2
封装 Tube
电流 - Vr时反向漏电 50µA @ 600V
安装类型 Through Hole
电压 - 正向(Vf) (最大) 1.8V @ 10A
电压 - ( Vr)(最大) 600V
热阻 1.1°C/W Jc
电容@ Vr ,F 480pF @ 0V, 1MHz
供应商设备封装 TO-220-2
反向恢复时间(trr ) 0ns
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
标准包装 50
电流 - 平均整流(Io ) 10A
封装/外壳 TO-220-2
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型 Silicon Carbide Schottky
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 10.414 x 4.699 x 15.621mm
身高 15.621mm
长度 10.414mm
最大连续正向电流 10A
最高工作温度 +175 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-220-2
峰值不重复正向浪涌电流 0.25kA
整流器类型 General Purpose
宽度 4.699mm
最大二极管电容 480 pF
正向电压下降 1.8 V
产品 Schottky Silicon Carbide Diodes
最大功率耗散 136.3 W
正向连续电流 10 A
最大反向漏泄电流 50 uA
峰值反向电压 600 V
安装风格 Through Hole
最大浪涌电流 250 A
封装/外壳 TO-220-2
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 50
If - Forward Current 10 A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage 600 V
工作温度范围 - 55 C to + 175 C
技术 SiC
品牌 Cree, Inc.
Ir - Reverse Current 50 uA
Ifsm - Forward Surge Current 250 A
Pd - Power Dissipation 136.3 W
Vf - Forward Voltage 1.8 V
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273-AB

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